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化合物半導体評価装置サイト
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生産支援機器
膜厚測定
光学的評価
深さ分析
その他
化合物半導体評価装置ラインアップ
生産支援機器
デジタルマスフローコントローラ
SEC-Z500Xseries
化合物半導体の製膜装置での、
特殊ガス流量制御のデファクトスタンダード。
マスフローコントローラは、化合物半導体おける薄膜プロセスのキーパーツ。薄膜の原料となるガスや液体材料の流量制御を行い、原料ガス流量の精密な流量制御をインラインで行うことで、品質や生産効率のコントロールを可能にしています。HORIBAエステックは従来Si半導体製造でも標準の位置にあり、フルラインアップの製品群で流量コントロールの標準品になっており、Siと比べて多岐に渡るガスを扱う化合物半導体の生産プロセスにおいても、高い効果を発揮しています。近年の化合物半導体プロセスでは、制御流量の高精度化・高速応答および、マスフローコントローラの仕様を変更するマルチガス/マルチレンジ機能などに対応。また、SEC-Z500Xは業界初の“RoHS対応"“Pbフリーはんだ"を実現し、環境への配慮も万全です。
干渉式リアルタイム膜厚モニタ
DIGILEM
干渉強度モニタにより、
トレンチ深さ膜厚変化を高精度に検出。
化合物半導体用途ではデファクトスタンダードになりつつある、干渉式リアルタイム膜厚モニタDIGILEMは、干渉法によりエッチング/デポジションの膜厚変化、トレンチ深さを高精度に検出します。特に活性層の手前でエッチングを止める残膜制御プロセスで不可欠なものとなっています。3種類用意されたセンサヘッドを使うことで、半導体からマイクロマシーンまでさまざまなプロセスに対応可能で、いままで難しかった干渉信号の複合等の問題も、フーリエ変換や高度なフィルタ機能を持つSOFIEソフトウェアによって解消しています。
生産支援機器
膜厚測定
FT-IRガス分析計
FG-100
分析用途をさらに広げるコンパクトサイズ。
シングルとデュアルセルで新登場。
FG-100Aシリーズは、各種半導体・FPDプロセスガスなどの多様な分析を可能にしたFTIRガス分析計です。現場での効率的なガス計測を追求して、大幅なコンパクト化を実現するとともにシングルセルタイプとデュアルセルタイプの2種類をご用意。測定ポイントへの設置・移動が容易な上、分析用途も多彩です。半導体・FPDプロセスガス分析に最適なソフトウェア、豊富なライブラリ、そして移動可能なサンプリングユニットを含め、トータルシステムとしてご提案します。
分光エリプソメータ
UVISEL
独自の変調器(PEM)の採用で、
無反応領域のない高精度な膜厚測定を実現。
分光エリプソメータ「UVISELシリーズ」は、超薄膜多層サンプルを高感度にて分析を行う事を目的とし開発された薄膜計測装置です。本装置ではフォトエラスティックモジュレータ(光弾性変調器)を採用することにより、無反応の領域がなく、FUV(紫外線)からNIR(近赤外線)にかけてすぐれたS/N比を示します。化合物半導体・異方性基板上の多層膜測定などさまざまな材料研究、製膜研究分野のみならず生産ラインにおいても高い測定性能を発揮し、高度な解析ソフトウェア機能と併せ、他の追随を許さない高度な機能を提供しています。
光学的評価
顕微フォトルミネッセンス
測定装置
LabRAM HR-PL
基礎研究からマッピングルーチン測定まで、
幅広いニーズにお応えします。
非破壊、非接触による、化合物半導体の組成評価、欠陥評価、量子井戸の評価、不純物評価、結晶性評価が行えます。独自のツェルニターナ分光器(焦点距離800mm)を備え、高精度測定を実現しました。また2つのアレイ検出器が搭載可能で、UVからNIRまで、広い測定レンジ(200nm〜1600nm)を高感度で測定します。また最大300mm大型XYステージでのマッピング測定、高倍率対物レンズで、微小部分のマッピング評価も可能。複数のレーザに対応し、フィルターの交換で、同一測定点での、フォトルミネッセンス、ラマン測定も行えます。
カソードルミネッセンス
測定システム
MP-32FE
結晶性・欠陥・不純物の評価や、
表面下にある構造の観察などに対応します。
電子ビームの照射により試料から生じる光をカソードルミネッセンスと呼び、この発光(カソードルミネッセンス)を用いて徴小領域における物性評価や半導体素子の解析が行われています。例えば、表面下にある構造の観察・評価、ワイドギャップ材料等の評価、欠陥・不純物の評価など、様々な評価解析が可能です。現在話題となっている窒化ガリウム(GaN)では、結晶欠陥密度の検査用途で、生産ラインでも使用されています。またフィールドエミッション電子顕微鏡と組み合わせることにより、ナノオーダの微小領域の評価も可能になり、さらなる可能性を追求しています。
深さ分析
その他
マーカス型高周波
グロー放電発光表面分析装置
GD-Profiler2
高速処理で、検体を数多く処理。
表面分析・深さ方向分析を効率化します。
迅速かつ簡単な表面分析装置です。高周波方式グロー放電を採用しているため、非導電性試料でも表面分析が可能です。また高速Arスパッタで迅速深さ方向分析(表面分析)が行えH〜Uまでの元素分析が行えます。数秒から数十秒でSIMS同等の情報を得ることが可能ですので、化合物半導体では、製膜直後の深さ分析を迅速に行うことにより、製造装置の製膜条件コントロールへのフィードバックに役立っています。
顕微レーザラマン分光装置
LabRAM HR-800
化合物半導体の結晶性評価に最適。
波数分解能が高く、
レーザの拡張性に優れています。
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