化合物半導体の応用範囲は広いが、近年では、携帯電話の高周波デバイスやバックライトとなる白色LED、あるいは、次世代大容量光ディスク(ブルーレイディスク)の書き込み用レーザ素子、また、照明や信号等急速に市場の広がっているデバイスが多岐に渡っている。
高速高周波
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電界効果型トランジスタ(FET、HEMT) |
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GaAs、AlGaAs/GaAs、AlGaAs/InGaAs、InGaP/GaAs、InAlAs/InGaAs |
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・高周波発振出力器、広帯域電流増幅器、スイッチング電源、モータ制御回路
・携帯電話、PHS・AV機器、計測制御機器 |
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集積回路 |
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・マイクロ波モノリシックIC
・高速コンピュータ |
受発光
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発光ダイオード(LED) |
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可視：Gan、GaP、GaAs、AlGaAs、GaAsP、InGaAlP、InGaN、ZnSe、SiC
近赤外：GaAs、AlGaAs |
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・家電製品、計器類、屋外ディスプレイ等の表示素子
・ファクシミリ、LEDプリンタ、光通信等の光源
・自動焦点カメラ、 各種センサ、リモコン光源、液晶のバックライト、信号、照明等 |
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レーザダイオード(LD) |
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短波長：AlGaAs/GaAs、InGaAlP/GaAs
長波長：InGaAsP/InP |
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・CD、DVDレーザ、プリンタ、光通信素子 |
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受光素子(PD)(APD) |
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・光通信・センサ・赤外カメラ |
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